Both TSMC and Samsung Foundry are mass-producing chips made using their 3nm process nodes this year. Both are using different types of transistors as TSMC continues to employ its FinFET transistors with horizontally stacked "fins" improving the performance of the transistor and reducing leakage. Samsung's gate-all-around (GAA) transistors offer more control over current flow and less leakage thanks to horizontally stacked nanosheets. TSMC will join Samsung and use GAA transistors on its 2nm chips expected to be mass-produced by 2025.
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